背散射電子成像簡介

掃描電鏡成像主要是利用樣品表面的微區(qū)特征，如形貌、原子序數(shù)、晶體結構或位向等差異，在電子束作用下產(chǎn)生不同強度的物理信號，使熒光屏上不同的區(qū)域呈現(xiàn)出不同的亮度，從而獲得具有一定襯度的圖像。

當電子束和試樣表層發(fā)生作用時，會產(chǎn)生大量的背散射電子，這些背散射電子襯度包含三種信息：

1. 樣品表層形貌信息，凸起、尖銳和傾斜面的背散射電子多，探頭接收到的信號強，圖像較亮，即形貌襯度(topography contrast)；

2. 原子序數(shù)信息，原子序數(shù)越大，背散射電子越多，探頭接收到的信號越強，反映在圖像上就越亮，即原子序數(shù)襯度成像(Z-contrast)；

3. 晶體取向信息，背散射電子的強度取決于入射電子束與晶面的相對取向。晶體取向和入射電子束方向的改變均可導致BSE強度的改變(Electron channeling contrast，簡稱ECC，由此得到的襯度像簡稱ECCI)。

這篇文章主要講ECCI 的原理及應用。