一、掃描電鏡和透射電鏡設備的不同點：

 

　　高分辨率臺式掃描電鏡使用—組特定的線圈以光柵樣式掃描樣品并收集散射的電子。

 

　　透射電鏡是使用透射電子，收集透過樣品的電子。因此，透射電鏡提供了樣品的內部結構，如晶體結構，形態和應力狀態信息，而掃描電鏡則提供了樣品表面及其組成的信息。

 

　　而且，這兩種設備的差別之一是它們可以達到的最佳空間分辨率;掃描電鏡的分辨率被限制在～0.5nm，而隨著最近在球差校正透射電鏡中的發展，已經報道了其空間分辨率甚至小于50pm。

 

　　二、高分辨率臺式掃描電鏡和透射電鏡操作上的差異

 

　　這兩種電子顯微鏡系統在操作方式上也有所不同。掃描電鏡通常使用15kV以上的加速電壓，而透射電鏡可以將其設置在60-300kV的范圍內。

 

　　與掃描電鏡相比，透射電鏡提供的放大倍數也相當高:透射電鏡可以將樣品放大5000萬倍以上，而對于掃描電鏡來說，限制在1-2百萬倍之間。

 

　　然而，掃描電鏡可以實現的最大視場(FOV)遠大于透射電鏡，用戶可以只對樣品的一小部分進行成像。同樣，掃描電鏡系統的景深也遠高于透射電鏡系統。

 

　　三、掃描電鏡和透射電鏡對樣品的要求

 

　　1、掃描電鏡

 

　　掃描電鏡制樣對樣品的厚度沒有特殊要求，可以采用切、磨、拋光或解理等方法將特定剖面呈現出來，從而轉化為可以觀察的表面。這樣的表面如果直接觀察，看到的只有表面加工損傷，一般要利用不同的化學溶液進行擇優腐蝕，才能產生有利于觀察的襯度。不過腐蝕會使樣品失去原結構的部分真實情況，同時引入部分人為的干擾，對樣品中厚度極小的薄層來說，造成的誤差更大。

 

　　2、透射電鏡

 

　　由于透射電鏡得到的顯微圖像的質量強烈依賴于樣品的厚度，因此樣品觀測部位要非常的薄，例如存儲器器件的透射電鏡樣品一般只能有10～100nm的厚度，這給透射電鏡制樣帶來很大的難度。初學者在制樣過程中用手工或者機械控制磨制的成品率不高，一旦過度削磨則使該樣品報廢。透射電鏡制樣的另一個問題是觀測點的定位，一般的制樣只能獲得10mm量級的薄的觀測范圍，這在需要精確定位分析的時候，目標往往落在觀測范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進行精細加工。